Teknologi Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Untuk menambah performa atau kecepatan memori komputer kita lebih mengenal istilah RAM atau Random Access Memory. Random Access memory sering disebut juga dengan istilah memori komputer. Berbagai jenis RAM yaitu EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya merupakan hasil pengembangan dari satu generasi ke generasi lain. Namun hal tersebut ternyata belum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru yang diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM).

Gambar 1: prototip MRAM

Memory ini merupakan teknologi terbaru yang kemampuannya 10x lebih cepat dari RAM dan Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.

Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM).

Teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman untuk menambah kecepatan komputer. Kecepatan ini masih dapat terus dikembangkan di masa depan.Untuk itu para pecinta teknologi informasi, khususnya bagi para penggemar internet dan design grafis, teknologi terbaru ini dapat membantu meningkatkan kinerja komputer dalam hal kecepatan.

Gambar 2 : Proses aliran listrik memutar elektron

Sumber : Friends, Agustus, 2009, hlm.50-51.